Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр

Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр

Цена от: 6 890.00 - 8 020.00 руб.

Складов: 4
В наличии на складах: 38 шт.


Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр купить или заказать на сайте e-kip.ru. Большой выбор электронных компонентов.

Название Склад Отгрузка, дн. Наличие Цена, руб. Обновлен
Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр 22 4-45 7 80208 020.00 12.02.2025
Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр 22 4-45 16 68906 890.00 12.02.2025
Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр 22 4-45 5 68906 890.00 12.02.2025
Фотоэлектрический датчик со встроенным усилителем сверхтонкий 13x19x4.6мм, материал корпуса: пластик (ПБТ), диффузный, положение излучателя/пр 22 4-45 10 68906 890.00 12.02.2025

Цены указаны с учетом НДС